Преглед производа
Хексафлуороетан (Ц₂Ф₆) је потпуно флуорисано, засићено једињење флуороугљеника, које се појављује као безбојан, без мириса, незапаљив и не-нетоксичан гас под стандардним условима. Као критичан електронски специјални гас, хексафлуороетан је цењен због своје изузетне хемијске стабилности и одличне селективности нагризања, што га чини незаменљивим у производњи полупроводника и микроелектронике. Произведен строгим процесима пречишћавања, наш хексафлуороетан високе{4}} чистоће испуњава строге захтеве напредних електронских апликација где су ултра{5}}висока чистоћа и минималне нечистоће најважнији.
Основне информације
| ЦАС бр. | 76-16-4 |
| УН бр. | УН2193 (хексафлуороетан, компримован) |
| Молецулар Формула | C₂F₆ |
| Класификација опасности | 2.2 (Не-запаљив, не-отрован гас) |
Кључни атрибути и параметри
| Чистоћа | Веће или једнако 99,999% (стандард 5Н разреда), са доступним вишим оценама. |
| Критичне нечистоће (типичне спецификације) |
кисеоник (О₂) Азот (Н₂): Мање или једнако 2 ппм Влага (Х₂О): Мања или једнака 1 ппм Укупни метални јони: мање или једнако 10 ппб |
| Тачка кључања | -78,2 степена |
| Критична температура | 19,7 степени |
| Притисак паре (на 21,1 степен) | 3,33 МПа апс |
| Густина (гас, 25 степени) | ~7,85 кг/м³ (приближно. 5к гушће од ваздуха) |
Карактеристике и предности
Висока хемијска и плазма стабилност
Јаке Ц-Ф везе обезбеђују стабилно, контролисано разлагање у плазма окружењима, стварајући активне радикале флуора за прецизно нагризање.
Супериорна селективност гравирања
Нуди веома прилагодљиве односе брзине нагризања између силицијума, силицијум диоксида, силицијум нитрида и фоторезиста, омогућавајући софистицирани пренос шаблона за напредне чворове.
Одлична диелектрична и изолациона својства
Његова висока диелектрична чврстоћа и термичка стабилност чине га погодним за специјализоване апликације за електричну изолацију.
Компатибилност процеса и широки прозор
Доказана компатибилност са стандардним алатима за производњу полупроводника (нпр. ИЦП, ЦЦП графичари), нудећи широк и стабилан процес за произвођаче.
Функционалне карактеристике
У процесима{0}}базираним на плазми, хексафлуороетан се разлаже и ствара радикале флуора (Ф*) и различите ЦФк јоне. То му омогућава да првенствено функционише као:
1. Прецизно нагризање: Омогућава анизотропно нагризање силицијума, полисилицијума и разних диелектричних филмова са високом селективношћу и контролом профила.
2. Средство за чишћење коморе: Ефикасно уклања остатке на бази силицијума{1}} из унутрашњости коморе за хемијско таложење испарења (ЦВД) и нагризајући се без оштећења компоненти коморе.
3. Гас носач/разблаживач: Може се користити за модулацију и стабилизацију хемије плазме у гасним смешама.
Примарна поља примене
Семицондуцтор Фабрицатион
Кључ за нагризање полисилицијумских капија, изолацију у плитким рововима (СТИ) и диелектрично (СиО₂, ниско-к) гравирање преко/ровова. Неопходан за-чишћење коморе на лицу места.
Производња равног екрана (ФПД).
Користи се у обликовању низова транзистора са танким{0}}филмом (ТФТ) и микро-производњи ОЛЕД екрана.
Фотонапонски
Текстурирање и обликовање узорака у производњи соларних ћелија на бази силикона{0}}и танких{1}} филмова.
Друге апликације
Користи се као расхладно средство (Р116), изолациони гас у електричној опреми и пуфер гас у ласерима.
Случај корисничке сарадње
Водећа ливница полупроводника удружила се са нама како би оптимизовала њихов 28нм процес нагризања контактних рупа на логичком чипу, који се суочио са изазовима храпавости бочне стране и униформности нагризања. Развили смо прилагођену мешавину гасова на бази хексафлуороетана- (са О₂ и Ар) прилагођену њиховом специфичном алату за нагризање (Апплиед Материалс Центура). Испоручили смо 99,9995% ултра-високе-хексафлуороетане са металним нечистоћама<5 ppb and implemented a real-time gas monitoring system. This collaboration resulted in a 40% reduction in sidewall roughness (from 5.2nm to 3.1nm), improved within-wafer uniformity from ±8% to ±4%, and enhanced critical dimension control by 25%. The successful gas formulation was adopted as their standard process, contributing to a 3.2% increase in production yield and establishing a joint development framework for sub-10nm node etch solutions. This case highlights how our high-purity hexafluoroethane and application expertise directly enable advanced manufacturing.
ФАК
Popularne oznake: хексафлуороетан, Кина хексафлуороетан произвођачи, добављачи, фабрика
